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삼성전자, 차세대 D램에 '건식 PR' 첫 적용

• 키워크 오래 전 2025.06.11 07:26 인기
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[칼럼]
삼성전자가 차세대 D램에 '건식 포토레지스트(PR)' 기술을 도입한다는 소식이 들렸다. 이는 반도체 업계에서 이번에 처음으로 시도되는 일이다. 기존의 습식 PR 대신 건식 PR를 도입함으로써 공정 변수의 변화에 대한 허용 범위를 확장하고 높은 수율을 확보할 수 있게 되었다는 관측이다.

건식 PR는 반도체 웨이퍼에 회로를 구현하는 공정에서 사용되는데, 기존의 습식 PR은 10나노미터 안팎 초미세 공정에서 패턴 붕괴 문제를 야기하는 경우가 있었다. 이에 건식 PR은 이러한 문제를 해결하고, 회로를 더 명확하게 그려 넣을 수 있도록 도와준다.

삼성전자가 6세대 D램에 건식 PR를 도입함으로써 차세대 D램에서 경쟁력을 확보하고자 한다는 것으로 해석된다. 특히 고대역폭메모리(HBM4)에 사용될 예정인 6세대 D램은 높은 성능을 요구하는데, 건식 PR을 통해 회로 패턴 품질을 향상시키고 신뢰성 있는 제품을 생산할 수 있는 장점을 가지고 있다.

이러한 기술적인 변화는 D램 시장에서의 새로운 흐름을 불러올 것으로 전망된다. 건식 PR를 도입한 6세대 D램의 양산은 내년부터 시작될 것으로 예상되며, 이를 통해 HBM4에 맞는 성능을 제공하는 제품이 나올 것으로 보인다. 이번 결정은 삼성전자가 기술적인 혁신을 통해 경쟁력을 다시 확보하고자 하는 의지를 보여주는 사례로 평가된다.

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